Filmes finos de óxido de índio dopado com estanho - ito (do inglês indium tin oxide), usados como película condutora transparente, têm vasta aplicação em dispositivos optoeletrônicos. seu uso como eletrodo em soluções eletrolíticas deve ser limitado pelo fato do mesmo sofrer redução sob polarização catódica. em trabalhos anteriores, a investigação desse processo redutivo mostrou uma forte influência da composição do eletrólito de suporte sobre a morfologia porosa do filme metálico resultante. quando o crescimento da camada porosa é realizado por redução potenciodinâmica, pode-se aplicar o modelo de resistência de camada porosa lprm-modificado (do inglês layer-pore resistance model), que fornece parâmetros que descrevem a morfologia porosa do depósito. no presente trabalho o crescimento da camada porosa por redução potenciodinâmica foi acompanhado in-situ por espectroscopia de impedância eletroquímica, visando a extração de parâmetros físicos que corroborem e validem os resultados obtidos pelo modelo lprm-modificado. a caracterização impedimétrica in-situ, em eletrólitos aquosos de nacl e kcl, em diferentes concentrações, usou uma metodologia de medida especialmente desenvolvida para esse fim. os espectros de impedância foram analisados por método gráfico que permite extrair valores de capacitância efetiva da interface, que prescindem de um modelo de circuito elétrico equivalente. os valores de capacitância efetiva foram traduzidos em termos do aumento de área interna da interface porosa em função do volume de material reduzido. os resultados mostram, para eletrólitos de kcl, um aumento de 10 a 70 vezes da área porosa, que se propaga lateralmente. eletrólitos de nacl, por outro lado, apresentam um comportamento mais corrosivo, abrindo canais porosos que penetram no filme de ito (crescimento unidimensional) acarretando um aumento de área interna de 70 a 200 vezes. tais resultados corroboram e complementam a descrição extraída do modelo lprm-modificado, que mostra que a camada porosa crescida em eletrólito de nacl oferece uma resistência três vezes maior à difusão eletrolítica que o eletrólito de kcl.