Complexos de metais de transição (mt) têm se mostrado promissores para aplicações eletro-ópticas devido a sua intensa emissão de luz resultante da mistura de estados excitados singleto e tripleto através do acoplamento spin-órbita (soc), que teoricamente permite um rendimento quântico (?) de 100%. complexos utilizando ir, pt, cu, os e ru são os emissores fosforescentes mais conhecidos com estas características e têm sido extensivamente estudados nos últimos anos, principalmente os complexos de ru, que são de particular interesse devido à sua versatilidade e facilidade de modificações moleculares. desta forma, este trabalho apresenta a síntese, caracterização e aplicação em estruturas de diodos orgânicos emissores de luz (oleds) de quatro complexos de ru: dois conhecidos na literatura (ru(bpy)3 e ru(phen)3) e dois inéditos (ru(tdzp)3 e ru(phense)3). os compostos foram sintetizados a partir de uma rota simples já conhecida e de bom rendimento. a caracterização estrutural foi feita a partir da espectroscopia de infravermelho (iv), espectroscopia raman, espectroscopia de ressonância magnética nuclear de h (rmn 1h) e espectrometria de massa de alta resolução (hrms). as propriedades térmicas foram investigadas através da termogravimetria (tga). as propriedades fotofísicas dos compostos em solução e filme, bem como o band gap (eg) ótico e o rendimento quântico (?), foram obtidos a partir da espectroscopia óptica uv-vis. as propriedades eletroquímicas e os níveis de energia (homo, lumo e eg) foram estimados a partir da voltametria cíclica (cv). a caracterização morfológica dos filmes finos produzidos via spin-coating foi feita com um microscópio de força atômica (afm). um comparativo interno permitiu observar que os complexos estudados apresentam características estruturais, térmicas, óticas, eletroquímicas e morfológicas semelhantes. os filmes produzidos via spin-coating foram posteriormente empregados como camada emissora (el) em diferentes estruturas de oled, as quais foram caracterizadas em suas propriedades elétricas, óticas e radiométricas. em geral, os dispositivos operaram em baixas tensões e exibiram uma banda larga de emissão no vermelho-alaranjado decorrente das transições de caráter mlct, típica dos complexos de ru. as estruturas de dispositivo que empregaram pvk como camada transportadora de buracos (htl) mostraram valores de potência de radiação inferiores. os complexos inéditos, ao contrário do que se esperava, também apresentaram baixos valores de potência de radiação em relação aos já conhecidos. no intuito de compreender os resultados obtidos a partir dos mecanismos intrínsecos dos dispositivos, foram realizados estudos de mobilidade através da aplicação de um modelo teórico. por fim, um breve estudo utilizando as estruturas de diodo produzidas demonstrou que os complexos inéditos apresentaram propriedades de fotocorrente e potencial para aplicações fotovoltaicas.